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        銦鎵砷 InGaAs MP6514S型單光子陣列探測器組件 950~1650nm  2020-05-27

        MP6514S型探測器組件由4x4陣列規格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號控制模塊組成。在蓋革工作模式下,探測器組件各像元獨立、自由運行,探測0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內微弱光信號,實時輸出TTL電信號。

        產品型號
        縱向   橫向
        型號 貨號 操作 名稱
        MP6514S E80040036 InGaAs單光子陣列探測器組件 950~1650nm   [PDF] 器件類型 InGaAs APD;工作波長 950~1650nm;陣列規模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm) 8-10周
        產品特點

        ●光譜響應波段0.95 ~ 1.65μm  

        ●采用金屬封裝,器件質輕靈巧 

        ●像元獨立、自由運行 

        ●像元可探測弱光子信號 

        ●死時間、蓋革雪崩信號檢測閾值可調 

        技術參數

        探測器面陣規格


        性能描述

        器件類型

        InGaAs APD

        陣列規模

        4x4

        像元大小

        100μm x 100μm

        光敏面大小[1]

        85μm x 85μm

        光窗

        石英光窗

        感光靶面至光窗外表面間距

        4mm (光窗厚度為1mm )

        注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。


        主要性能指標(Tc=22+3℃)

        特性參數

        參數指標

        工作波長[1]

        0.95 ~ 1.65μm

        探測效率

        ≥10% ( 1.57   +0.05μm)

        暗計數率

        ≤10KHz

        時間抖動

        ≤500ps

        死時間

        100 ~ 1000ns可調

        有效像元率

        100%

        注[1]:在工作波長范圍內選配標準窄帶濾光片。

        絕對最大額定值

        參數

        額定值

        單位

        工作溫度范圍Tc

        -40~+55

        °C

        貯存溫度范圍TSTG

        -40~+70

        °C

        最大功耗P

        15

        W

        輸入偏置范圍VR

        4.95.5

        V

        靜電放電敏感度ESD

        1000~2000

        V

        質量可靠性保證

        ● 產品執行GJB8121-2013《半導體光電組件通用規范》相關要求。

        通用參數

        封裝外形結構與尺寸(單位: mm )

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        zj2.png

        電學接口

        zj4.png

        ●電源輸入: +5V

        ●數據輸出類型: TTL

        ●控制命令接口: J63A-31

        ●電源輸入接口類型: J30J

        ●數據輸出接口類型: J63A-31

        ●外觸發接口: SSMA

        接口編號

        功能

        1

        SSMA-1:內同步信號輸出

        2

        SSMA-2:外同步信號輸入

        3

        J63A-31:輸出信號端口及探測器工作設置輸入信號端口

        4

        J30J: +5V單電源供電

        產品應用

        ●透霧、霾、煙塵等測距

        ●近紅外激光告警

        ●遠距離激光測距

        ●遠距離空間激光通信










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